Sustrato de GaAs
Descripción
El arseniuro de galio (GaAs) es un semiconductor compuesto importante y maduro del grupo III-Ⅴ, ampliamente utilizado en el campo de la optoelectrónica y la microelectrónica.El GaAs se divide principalmente en dos categorías: GaAs semiaislante y GaAs tipo N.El GaAs semiaislante se utiliza principalmente para fabricar circuitos integrados con estructuras MESFET, HEMT y HBT, que se utilizan en comunicaciones por radar, microondas y ondas milimétricas, computadoras de ultra alta velocidad y comunicaciones por fibra óptica.El GaAs tipo N se utiliza principalmente en LD, LED, láseres de infrarrojo cercano, láseres de alta potencia de pozos cuánticos y células solares de alta eficiencia.
Propiedades
| Cristal | dopado | Tipo de conducción | Concentración de Flujos cm-3 | Densidad cm-2 | Método de crecimiento |
| GaAs | Ninguno | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
Definición de sustrato de GaAs
El sustrato de GaAs se refiere a un sustrato hecho de material cristalino de arseniuro de galio (GaAs).GaAs es un semiconductor compuesto compuesto por elementos de galio (Ga) y arsénico (As).
Los sustratos de GaAs se utilizan a menudo en los campos de la electrónica y la optoelectrónica debido a sus excelentes propiedades.Algunas propiedades clave de los sustratos de GaAs incluyen:
1. Alta movilidad de electrones: el GaAs tiene una mayor movilidad de electrones que otros materiales semiconductores comunes como el silicio (Si).Esta característica hace que el sustrato de GaAs sea adecuado para equipos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia.
2. Banda prohibida directa: GaAs tiene una banda prohibida directa, lo que significa que puede producirse una emisión de luz eficiente cuando los electrones y los huecos se recombinan.Esta característica hace que los sustratos de GaAs sean ideales para aplicaciones optoelectrónicas como diodos emisores de luz (LED) y láseres.
3. Banda prohibida amplia: GaAs tiene una banda prohibida más amplia que el silicio, lo que le permite funcionar a temperaturas más altas.Esta propiedad permite que los dispositivos basados en GaAs funcionen de manera más eficiente en entornos de alta temperatura.
4. Bajo nivel de ruido: los sustratos de GaAs exhiben bajos niveles de ruido, lo que los hace adecuados para amplificadores de bajo ruido y otras aplicaciones electrónicas sensibles.
Los sustratos de GaAs se utilizan ampliamente en dispositivos electrónicos y optoelectrónicos, incluidos transistores de alta velocidad, circuitos integrados de microondas (CI), células fotovoltaicas, detectores de fotones y células solares.
Estos sustratos se pueden preparar utilizando diversas técnicas, como la deposición química de vapor de metales orgánicos (MOCVD), la epitaxia de haz molecular (MBE) o la epitaxia en fase líquida (LPE).El método de crecimiento específico utilizado depende de la aplicación deseada y de los requisitos de calidad del sustrato de GaAs.
