Sustrato de SiC
Descripción
El carburo de silicio (SiC) es un compuesto binario del Grupo IV-IV, es el único compuesto sólido estable en el Grupo IV de la Tabla Periódica y es un semiconductor importante.El SiC tiene excelentes propiedades térmicas, mecánicas, químicas y eléctricas, lo que lo convierte en uno de los mejores materiales para fabricar dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia. El SiC también se puede utilizar como material de sustrato. para diodos emisores de luz azul basados en GaN.En la actualidad, el 4H-SiC es el producto principal en el mercado y el tipo de conductividad se divide en tipo semiaislante y tipo N.
Propiedades
| Artículo | 2 pulgadas 4H tipo N | ||
| Diámetro | 2 pulgadas (50,8 mm) | ||
| Espesor | 350+/-25um | ||
| Orientación | fuera del eje 4,0˚ hacia <1120> ± 0,5˚ | ||
| Orientación plana primaria | <1-100> ± 5° | ||
| Piso Secundario Orientación | 90,0˚ CW desde plano primario ± 5,0˚, Si boca arriba | ||
| Longitud plana primaria | 16 ± 2,0 | ||
| Longitud plana secundaria | 8 ± 2,0 | ||
| Calificación | Grado de producción (P) | Grado de investigación (R) | Grado ficticio (D) |
| Resistividad | 0,015~0,028 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm |
| Densidad del microtubo | ≤ 1 microtubos/ cm² | ≤ 1 0microtubos/ cm² | ≤ 30 microtubos/ cm² |
| Rugosidad de la superficie | Cara Si CMP Ra <0,5 nm, cara C Ra <1 nm | N/A, área útil > 75% | |
| televisión | < 8 micras | < 10um | < 15 micras |
| Arco | < ±8 micras | < ±10um | < ±15um |
| Deformación | < 15 micras | < 20 micras | < 25 micras |
| Grietas | Ninguno | Longitud acumulada ≤ 3 mm | Longitud acumulada ≤10 mm, |
| Arañazos | ≤ 3 rayones, acumulativos | ≤ 5 rayones, acumulativos | ≤ 10 rayones, acumulativos |
| Placas hexagonales | máximo 6 platos, | máximo 12 platos, | N/A, área útil > 75% |
| Áreas de politipo | Ninguno | Área acumulada ≤ 5% | Área acumulada ≤ 10% |
| Contaminación | Ninguno | ||
