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Sustrato PMN-PT

Breve descripción:

1.Alta suavidad
2. Coincidencia de celosía alta (MCT)
3.Baja densidad de dislocación
4.Alta transmitancia infrarroja


Detalle del producto

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Descripción

El cristal PMN-PT es conocido por su coeficiente de acoplamiento electromecánico extremadamente alto, alto coeficiente piezoeléctrico, alta tensión y baja pérdida dieléctrica.

Propiedades

Composición química

( PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x: (PbTiO3)x

Estructura

R3m, romboédrico

Enrejado

a0 ~ 4.024Å

Punto de fusión (℃)

1280

Densidad (g/cm3)

8.1

Coeficiente piezoeléctrico d33

>2000 pC/N

Pérdida dieléctrica

tan <0,9

Composición

cerca del límite de fase morfotrópica

 

Definición de sustrato PMN-PT

El sustrato PMN-PT se refiere a una película delgada u oblea hecha de material piezoeléctrico PMN-PT.Sirve como base o cimiento de soporte para diversos dispositivos electrónicos u optoelectrónicos.

En el contexto de PMN-PT, un sustrato suele ser una superficie plana y rígida sobre la que se pueden desarrollar o depositar capas o estructuras delgadas.Los sustratos PMN-PT se utilizan comúnmente para fabricar dispositivos como sensores piezoeléctricos, actuadores, transductores y recolectores de energía.

Estos sustratos proporcionan una plataforma estable para el crecimiento o deposición de capas o estructuras adicionales, lo que permite integrar las propiedades piezoeléctricas de PMN-PT en los dispositivos.Los sustratos PMN-PT en forma de película delgada u oblea pueden crear dispositivos compactos y eficientes que se benefician de las excelentes propiedades piezoeléctricas del material.

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La alta coincidencia de celosía se refiere a la alineación o combinación de estructuras de celosía entre dos materiales diferentes.En el contexto de los semiconductores MCT (telururo de mercurio y cadmio), es deseable una alta coincidencia de red porque permite el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad y libres de defectos.

MCT es un material semiconductor compuesto comúnmente utilizado en detectores de infrarrojos y dispositivos de imágenes.Para maximizar el rendimiento del dispositivo, es fundamental hacer crecer capas epitaxiales de MCT que coincidan estrechamente con la estructura reticular del material del sustrato subyacente (normalmente CdZnTe o GaAs).

Al lograr una alta coincidencia de red, se mejora la alineación del cristal entre capas y se reducen los defectos y la tensión en la interfaz.Esto conduce a una mejor calidad cristalina, mejores propiedades eléctricas y ópticas y un mejor rendimiento del dispositivo.

Una alta coincidencia de red es importante para aplicaciones como imágenes y sensores infrarrojos, donde incluso pequeños defectos o imperfecciones pueden degradar el rendimiento del dispositivo, afectando factores como la sensibilidad, la resolución espacial y la relación señal-ruido.


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