Sustrato LiAlO2
Descripción
LiAlO2 es un excelente sustrato de película cristalina.
Propiedades
Estructura cristalina | M4 |
Constante de celda unitaria | a=5,17 A c=6,26 A |
Punto de fusión (℃) | 1900 |
Densidad(g/cm3) | 2.62 |
Dureza (Mho) | 7.5 |
Pulido | Sencillo o doble o sin |
Orientación del cristal | <100> <001> |
La definición del sustrato LiAlO2
El sustrato LiAlO2 se refiere a un sustrato hecho de óxido de aluminio y litio (LiAlO2).LiAlO2 es un compuesto cristalino que pertenece al grupo espacial R3m y tiene una estructura cristalina triangular.
Los sustratos de LiAlO2 se han utilizado en una variedad de aplicaciones, incluido el crecimiento de películas delgadas, capas epitaxiales y heteroestructuras para dispositivos electrónicos, optoelectrónicos y fotónicos.Debido a sus excelentes propiedades físicas y químicas, es especialmente adecuado para el desarrollo de dispositivos semiconductores de banda ancha.
Una de las principales aplicaciones de los sustratos de LiAlO2 es en el campo de los dispositivos basados en nitruro de galio (GaN), como los transistores de alta movilidad electrónica (HEMT) y los diodos emisores de luz (LED).El desajuste de red entre LiAlO2 y GaN es relativamente pequeño, lo que lo convierte en un sustrato adecuado para el crecimiento epitaxial de películas delgadas de GaN.El sustrato LiAlO2 proporciona una plantilla de alta calidad para la deposición de GaN, lo que mejora el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.
Los sustratos de LiAlO2 también se utilizan en otros campos, como el desarrollo de materiales ferroeléctricos para dispositivos de memoria, el desarrollo de dispositivos piezoeléctricos y la fabricación de baterías de estado sólido.Sus propiedades únicas, como alta conductividad térmica, buena estabilidad mecánica y baja constante dieléctrica, les otorgan ventajas en estas aplicaciones.
En resumen, el sustrato LiAlO2 se refiere a un sustrato hecho de óxido de litio y aluminio.Los sustratos de LiAlO2 se utilizan en diversas aplicaciones, especialmente para el crecimiento de dispositivos basados en GaN y el desarrollo de otros dispositivos electrónicos, optoelectrónicos y fotónicos.Poseen propiedades físicas y químicas deseables que los hacen adecuados para la deposición de películas delgadas y heteroestructuras y mejoran el rendimiento del dispositivo.