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sustrato ge

Breve descripción:

1.Sb/N dopado

2.Sin dopaje

3. Semiconductor


Detalle del producto

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Descripción

El monocristal Ge es un excelente semiconductor para la industria de infrarrojos y circuitos integrados.

Propiedades

Método de crecimiento

método czochralski

Estructura cristalina

M3

Constante de celda unitaria

a=5,65754Å

Densidad(g/cm3

5.323

Punto de fusión (℃)

937.4

Material dopado

no dopado

dopado con sb

In / Ga –dopado

Tipo

/

N

P

Resistividad

>35Ωcm

0,05Ωcm

0,05~0,1Ωcm

DEP

<4×103∕cm2

<4×103∕cm2

<4×103∕cm2

Tamaño

10x3,10x5,10x10,15x15,20x15,20x20,

diámetro 2” x 0,33 mm diámetro 2” x 0,43 mm 15 x 15 mm

Espesor

0,5 mm, 1,0 mm

Pulido

Sencillo o doble

Orientación del cristal

<100>、<110>、<111>、±0,5º

Ra

≤5Å(5 µm × 5 µm)

La definición de sustrato Ge

El sustrato Ge se refiere a un sustrato hecho de elemento germanio (Ge).El germanio es un material semiconductor con propiedades electrónicas únicas que lo hacen adecuado para una variedad de aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas.

Los sustratos Ge se utilizan habitualmente en la fabricación de dispositivos electrónicos, especialmente en el campo de la tecnología de semiconductores.Se utilizan como materiales base para depositar películas delgadas y capas epitaxiales de otros semiconductores como el silicio (Si).Los sustratos Ge se pueden utilizar para hacer crecer heteroestructuras y capas de semiconductores compuestos con propiedades específicas para aplicaciones como transistores de alta velocidad, fotodetectores y células solares.

El germanio también se utiliza en fotónica y optoelectrónica, donde puede utilizarse como sustrato para el cultivo de lentes y detectores de infrarrojos (IR).Los sustratos Ge tienen propiedades necesarias para aplicaciones de infrarrojos, como un amplio rango de transmisión en la región del infrarrojo medio y excelentes propiedades mecánicas a bajas temperaturas.

Los sustratos de Ge tienen una estructura reticular muy parecida a la del silicio, lo que los hace compatibles para la integración con la electrónica basada en Si.Esta compatibilidad permite la fabricación de estructuras híbridas y el desarrollo de dispositivos electrónicos y fotónicos avanzados.

En resumen, un sustrato de Ge se refiere a un sustrato hecho de germanio, un material semiconductor utilizado en aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas.Sirve como plataforma para el crecimiento de otros materiales semiconductores, permitiendo la fabricación de diversos dispositivos en los campos de la electrónica, la optoelectrónica y la fotónica.


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